2012年12月28日金曜日

半導体_ダイオード_平成22

 次の文章は、 pn接合で形成されるダイオードに関する記述である. 文中の[   ]に当てはまる語句を解答群の中から選びなさい.
 p層とn層とを接合させ、 図のように電圧源 を接続した. p層とn層との接合部には電子も正孔もほとんど存在しない[ (1) ]と呼ばれる領域が生じる. まず電圧 E=0 とし、 n層側の[ (1) ]領域を考える. この領域では電子がなくなるため、電子を作り出した不純物であるドナーが[ (2) ]となり、 電子の流れに対し電位の障壁を作る. 不純物分布が一様であるとすれば、 n層の[ (1) ]が始まる境界からの距離を とするとき. この障壁のポテンシャル関数は x  [ (3) ]関数として表される.
 同様にp層側では正孔がなくなることで同様に電位の障壁を作る. この二つの障壁の高さの合計を拡散電位と読んでいる.
電圧 を正にすると、 この二つの障壁の高さの合計は[ (4) ]、 電流が流れる. 半導体中での電子や正孔の量はその運動エネルギーに対してボルツマン分布を持つと近似できるので、 電流量はp層とn層間の電圧の増加に対して[ (5) ]関数的に増加する.
解答群ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー



解答ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー




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