半導体_ダイオード_平成２２

　次の文章は、　pn接合で形成されるダイオードに関する記述である.　文中の［　　　］に当てはまる語句を解答群の中から選びなさい.
　p層とn層とを接合させ、 図のように電圧源 E を接続した.　p層とn層との接合部には電子も正孔もほとんど存在しない［　（１）　］と呼ばれる領域が生じる.　まず電圧 E＝０ とし、　n層側の［　（１）　］領域を考える.　この領域では電子がなくなるため、電子を作り出した不純物であるドナーが［　（２）　］となり、　電子の流れに対し電位の障壁を作る.　不純物分布が一様であるとすれば、　n層の［　（１）　］が始まる境界からの距離を x とするとき.　この障壁のポテンシャル関数は x の ［　（３）　］関数として表される.
　同様にp層側では正孔がなくなることで同様に電位の障壁を作る.　この二つの障壁の高さの合計を拡散電位と読んでいる.

電圧 E を正にすると、　この二つの障壁の高さの合計は［　（４）　］、　電流が流れる.　半導体中での電子や正孔の量はその運動エネルギーに対してボルツマン分布を持つと近似できるので、　電流量はp層とn層間の電圧の増加に対して［　（５）　］関数的に増加する.

解答群ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー

解答ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー