n形半導体とp形半導体を接合すると、 電子及びホールの拡散により、 その接合面に [ (1) ] 層が生じる. このようなpn接合をもつ素子においては、 [ (2) ] 形半導体に正の電圧を、 他方の半導体に負の電圧を加えたときに、 電流が流れる. それとは逆極性の電圧を加えた場合には電流は流れにくく、 この場合には、 pn接合を [ (3) ] として用いることができる. この逆極性の電圧を高めてゆくと、 ある電圧値で逆方向の電流が急に増加するようになる. その電圧を [ (４) ] 電圧という.
また、 pnpn構造を有するスイッチングデバイスを総称して [ (５) ] という.
（１）ー（ニ）、 （２）ー（チ）、 （３）ー（ヲ）、 （４）ー（ヘ）、 （５）ー（カ）
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