電験2種過去問問題解答: 2012

2012年12月28日金曜日

半導体_ダイオード_平成２２

　次の文章は、　pn接合で形成されるダイオードに関する記述である.　文中の［　　　］に当てはまる語句を解答群の中から選びなさい.
　p層とn層とを接合させ、図のように電圧源 E を接続した.　p層とn層との接合部には電子も正孔もほとんど存在しない［　（１）　］と呼ばれる領域が生じる.　まず電圧 E＝０とし、　n層側の［　（１）　］領域を考える.　この領域では電子がなくなるため、電子を作り出した不純物であるドナーが［　（２）　］となり、　電子の流れに対し電位の障壁を作る.　不純物分布が一様であるとすれば、　n層の［　（１）　］が始まる境界からの距離を x とするとき.　この障壁のポテンシャル関数は x の［　（３）　］関数として表される.
　同様にp層側では正孔がなくなることで同様に電位の障壁を作る.　この二つの障壁の高さの合計を拡散電位と読んでいる.

電圧 E を正にすると、　この二つの障壁の高さの合計は［　（４）　］、　電流が流れる.　半導体中での電子や正孔の量はその運動エネルギーに対してボルツマン分布を持つと近似できるので、　電流量はp層とn層間の電圧の増加に対して［　（５）　］関数的に増加する.

解答群ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー

解答ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー

電子回路_オペアンプ_平成１０

解答

2012年12月21日金曜日

過渡現象_初期電荷あり_平成12

解答

過渡現象_RRL_平成14

解答

2012年12月16日日曜日

交流回路_ベクトル_平成１１

[解答]

2012年9月16日日曜日

静電気_平行板コンデンサ_力_エネルギー平成１２

[解答]

2012年7月25日水曜日

半導体_pn接合_平成１３

　次の文章は、　半導体のpn接合に関する記述である.　文中の [ ] に当てはまる語句を解答群の中から選び、　その記号をマークシートに記入しなさい.
　n形半導体とp形半導体を接合すると、　電子及びホールの拡散により、　その接合面に [ (1) ] 層が生じる.　このようなpn接合をもつ素子においては、　[ (2) ] 形半導体に正の電圧を、　他方の半導体に負の電圧を加えたときに、　電流が流れる.　それとは逆極性の電圧を加えた場合には電流は流れにくく、　この場合には、　pn接合を [ (3) ] として用いることができる.　この逆極性の電圧を高めてゆくと、　ある電圧値で逆方向の電流が急に増加するようになる.　その電圧を [ (４) ] 電圧という.
　また、　pnpn構造を有するスイッチングデバイスを総称して [ (５) ] という.